收藏本站
IRFR/U6215
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
R G
?
?
?
?
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
-
V DD
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V GS =10V
*
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
V DD
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple  ≤  5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14. For N-Channel HEXFETS
www.irf.com
7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRFR9020TRLPBF MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
IRFR9024NTRR MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRFR9024TRRPBF MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRFR9110TRRPBF MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
IRFR9120NTRR MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
IRFS11N50ATRR MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
IRFS17N20DTRLP MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
IRFS3507TRLPBF MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRFR6215TRRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR7440PBF 功能描述:MOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR7440TRPbF 功能描述:MOSFET 40V 90A 2.5mOhm 89nC StrongIRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR7446PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
IRFR7446TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFR812PBF 功能描述:MOSFET 500V 3.6A 1.85 Ohm 75ns HEXFET ZeroSMPS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR812PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH HEXFET 500V 3.6A DPAK
IRFR812TRPBF 功能描述:MOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube